石英玻璃为何是半导体材料国产化替代重要一环？

　　据国际半导体产业协会最近发布，2019年晶圆制造材料的销售额为328亿美元，半导体封装材料的销售额为192亿美元。其中，中国大陆 2019 年半导体材料营收达 88.6 亿美元，同比增长 1.9%，也是全球唯一出现增长的材料市场。

　　在众多材料中，石英玻璃的关注度不断提升。据乐晴智库报道，全球石英玻璃市场中半导体行业占比最高（45.36%），光伏（23.76%）、光通讯行业（16.20%）紧随其后。石英玻璃作为发展电子信息科技产业的基础，将长期受益于下游高端领域高速发展牵引，市场规模加速扩张。

　　在半导体产业中，高纯、无污染、耐高温的石英玻璃材料及制品是必不可少的辅材。目前半导体用石英主要分为半导体器件、半导体石英基板和半导体石英材料市场规模占比分别为41%、31%和28%。根据中国产业信息网数据，2018年全球半导体用石英市场需求为206亿元，2014-2018年CAGR为7.28%。

　　从目前来看，全球高端石英玻璃市场尤其是其中的半导体、光通讯、光学等高新技术领域的石英玻璃市场，美国、日本、德国等国占据明显的优势竞争地位，贺利氏、迈图、东曹、尤尼明、昆希等企业占据主导。

　　而随着国内石英制品行业正从能源密集型行业向技术密集型、资金密集型方向转变，业已涌现出菲利华、石英股份、亿仕达、凯德石英等一批优秀石英企业。

　　2020 年在5G、物联网等热点技术与应用推动下，国内半导体材料需求有望进一步增长。而且大基金二期已完成募资，预计三月底可开始实质投资，特别是将加大对国产半导体材料的投入力度，新一轮的资本介入也将加快半导体材料国产替代进度，石英玻璃等半导体重要原材料将随之迎来新的发展机遇

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　　精益求精的执行，及对汽车和工业领域趋势的关注，推动了安森美取得优异业绩，并为今后的战略奠定了基础 2023 年 5 月 26日— 智能电源和智能感知技术的领先企业安森美（onsemi），于美国时间2023年5月16日在纽约市举行了投资者大会，主题是 “加速迈向可持续生态系统”，重点介绍了公司过去两年的转型如何推动其超越行业表现，并透露了一直到2027年加速增长的战略计划 。在此活动举办不久前，安森美发布的第一季度业绩超华尔街预期。 安森美正加倍努力发展汽车和工业领域的高端智能电源和智能感知业务，其智能电源聚焦于碳化硅（SiC）、硅电源（IGBT、FET）和功率IC。根据安森美加速增长的财务模型预测，从2022年到20

　　行业平均增速的三倍 /

　　将减少10%晶圆投片量 EUV产线 日消息，据韩媒 Aju News 报道，三星计划自 2023 年第三季度开始，对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。 报道称，三星半导体将在第三季度开始，对华城园区 S3 工厂进行减产作业。S3 工厂是三星半导体于 2018 年建成投产的 12 英寸生产线nm 产品，也是三星半导体 EUV 先进工艺的主力生产厂之一，三星为其部署了多台 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻机。 Aju News 指出，此次减产是三星近几年来首度人为减少半导体工厂晶圆投片量。 业内人士指出，在半导体行业低迷期，三星为了逆周期投资以挤压台积电等竞争对手，直至今年年初仍

　　中国上海，2023年5月25日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”，其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半 。该产品于今日开始支持批量出货。 与东芝当前的产品TLP3475S相比，TLP3476S运行速度更快、结构更紧凑。该产品通过提高红外LED的光输出并优化光电探测器件（光电二极管阵列）的设计，可实现高效的光耦合，也提高了运行速度，将导通时间最大值缩短至0.25ms，时间为TLP3475S的一半。此外，由于采用了尺寸更小、外形更纤薄的S-VSON4T封装（最大厚度为1.4mm），TLP3476S的厚度比当前产品减小了20

　　测试设备的测试时间 /

　　美国时间5月23日，被誉为显示界“奥斯卡”的国际显示周（SID Display Week 2023）在美国洛杉矶隆重启幕。作为全球半导体显示行业顶尖盛会，国际显示周今年迎来了其创办第60届的重要节点，也恰逢全球半导体显示领军企业BOE（京东方）创立30周年。在这样一个特别的历史时刻，BOE（京东方）携一众尖端创新科技重磅亮相，包括 ADS Pro、f-OLED、α-MLED三大显示技术品牌赋能的多款全球首发技术新品，以及智慧车载、裸眼3D、元宇宙等全新一代前沿创新应用，带来一场精彩纷呈的科技视觉盛宴。展会同期，BOE（京东方）还首次携手合作伙伴召开了“定义未来—京东方创新生态论坛”，携手SID 深刻解读全球半导体显示产业未来发展趋

　　显示行业发展风向标 /

　　韩国政府日前针对美国《芯片与科学法案》（CHIPS Act，以下称芯片法案）补贴标准，要求美国放宽「护栏条款」限制，扩大受补贴半导体企业在中国扩大产能的上限。 韩媒首尔经济、Digital Times等引述美国官方公告指出，韩国政府就美国商务部于2023年3月21日公布的芯片法案护栏条款施行细则提出正式意见，表示护栏条款实施不应让投资美国的业者承受不合理的负担，希望美国政府重新讨论规定中「具体扩张（material expansion）」和「传统制程（Legacy）」等关键词汇的定义。 根据护栏条款，获得美国半导体补贴的业者，未来10年在中国半导体先进制程产能扩充不得超过5%，而韩国政府则要求至少应允许增产10%以上。

　　2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ （在 VGS = 10V 时），高效运行频率达到600kHz。 STripFET F8技术还确保输出电容值可以减轻漏源电压尖峰，最大程度地减少充放电能量浪费。 此外，这款M

　　发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40% /

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